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主營：單片機,MOS,大電流mos
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公司成立于2013年7月，專注從事單片機的應(yīng)用開發(fā)及生產(chǎn)，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售，在LED及小家電等消費類電子產(chǎn)品上應(yīng)用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。
跟雙旋光性晶體三極管對比，一般覺得使MOS管導(dǎo)通不用電流量，只需要GS電壓高過一定的值就可以了。做到這一點比較容易，我們主要是需要一定的速率。
對于MOS管的結(jié)構(gòu)來說，我們可以發(fā)現(xiàn)在GS、GD里會有一些寄生電容，寧波mos，而MOS管的驅(qū)動，實際上就是對電容充電和放電。對于電容的充電我們只需要一個電流就夠了，由于電容在充電的瞬間相當(dāng)于可以把電容當(dāng)做是短路，這個時候的瞬間電流會比一般情況下數(shù)值要高一些。因此我們再挑選或者是設(shè)計MOS管驅(qū)動電路方案的時候，首先要先留意可提供的瞬間短路電流大小。
公司成立于2013年7月，專注從事單片機的應(yīng)用開發(fā)及生產(chǎn)，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售，mos廠家，在LED及小家電等消費類電子產(chǎn)品上應(yīng)用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。
mos管，是在集成電路里的帶有絕緣性的場效應(yīng)管。MOS 管作為半導(dǎo)體領(lǐng)域基礎(chǔ)的器件之一，不管是在板級電路的應(yīng)用上，mos生產(chǎn)廠家，還是IC的設(shè)計里，都十分廣泛。MOS管的drain和source是可以相互調(diào)換過來的的，都是在P型backgate里形成的一個N型區(qū)。在普遍的情況下，這兩個區(qū)都是相同的，就算這兩段相互調(diào)換過來也是不會去影響到器件的性能。所以這器件被認為是對稱的。
MOS管失效的兩個主要原因：
電壓失效：即漏源間的BVdss電壓超過MOS管額定電壓，達到一定容量，造成MOS管失效。
柵電壓故障：柵極遭受異常電壓尖峰，造成柵氧層故障。
雪崩破壞到底是什么？簡單地說，MOS管是由母線電壓、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等與MOS管之間疊加而形成的故障模式。簡而言之，即MOS管漏源極的電壓超過了它規(guī)定的電壓值，并且達到了某一能量極限i時所產(chǎn)生的常見故障。
造成柵電壓異常高的主要原因有三個：生產(chǎn)、運輸和裝配過程中的靜電；設(shè)備和電路寄生參數(shù)在電力系統(tǒng)運行過程中產(chǎn)生高壓諧振；在高壓沖擊時，高壓通過Ggd傳輸?shù)诫娋W(wǎng)(雷擊測試時這種故障更為常見)。
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